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   凝結(jié)過(guò)程是指從蒸發(fā)源中或?yàn)R射靶上被蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的原子、離子或分子人射到基底表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結(jié)相的一個(gè)相變過(guò)程，它是薄膜形成的*個(gè)階段。
    固體表面與固體內(nèi)部在晶體結(jié)構(gòu)上的重大差異就是原子或分子間的化學(xué)鍵中斷。原子或分子在固體表面形成的這種中斷鍵稱為不飽和鍵或懸掛鍵。這種鍵具有吸引外來(lái)原子或分子的能力。人射到基體表面的氣相原子被這種懸掛鍵吸引住的現(xiàn)象稱為吸附。如果吸附僅僅是由原子電偶極矩之間的范德華力起作用稱為物理吸附;若吸附是由化學(xué)鍵結(jié)合力起作用則稱為化學(xué)吸附。固體表面的這種特殊狀態(tài)使它具有一種特殊的能量為表面自由能。吸附現(xiàn)象會(huì)使表面自由能減小。伴隨吸附現(xiàn)象的發(fā)生而釋放的一定的能量稱為吸附能。將吸附在固體表面上的氣相原子除掉稱為解吸，除掉被吸附氣相原子的能量稱為解吸能。
   從蒸發(fā)源或?yàn)R射靶人射到基底表面的氣相原子都有一定的能量。它們到達(dá)基片表面之后可能發(fā)生三種現(xiàn)象:
   (1)與基底表面原子進(jìn)行能量交換被吸附;
   (2)吸附后氣相原子仍有較大的解吸能，在基底表面作短暫停留后再解吸蒸發(fā)(再蒸發(fā)或二次蒸發(fā));
   (3)與基底表面不進(jìn)行能量交換，入射到基底表面上立即反射回去。
   吸附過(guò)程的能量曲線如圖5一I所示。當(dāng)人射到基底表面的氣相原子的動(dòng)能較小時(shí)，處于物理吸附狀態(tài)，其吸附能用Qp表示.當(dāng)這種氣相原子的動(dòng)能較大但小于或等于激活能ER時(shí)則可產(chǎn)生化學(xué)吸附。達(dá)到完全化學(xué)吸附的數(shù)量,Ed與凡的差值Qc稱為化學(xué)吸附能。因?yàn)镼o大于q，所以只有動(dòng)能較大的氣相原子才能和基體表面產(chǎn)生化學(xué)吸附。當(dāng)這種氣相原子具有的動(dòng)能大于Ed時(shí)，它將不被基體表面吸附，通過(guò)再蒸發(fā)或解吸而轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀唷Ｒ虼薊d又稱為解吸能。